Серверы корпоративных баз данных


Использование специфических свойств динамических ЗУПВ - часть 2


Страничный режим и режим статического столбца также могут использоваться, обеспечивая даже большую степень расслоения при несколько более сложном управлении. Одной из тенденций в разработке ДЗУПВ является наличие в них буферов с тремя состояниями. Это предполагает, что для реализации традиционного расслоения с большим числом кристаллов памяти в системе должны быть предусмотрены буферные микросхемы для каждого банка памяти.

Новые поколения ДЗУВП разработаны с учетом возможности дальнейшей оптимизации интерфейса между ДЗУПВ и процессором. В качестве примера можно привести изделия компании RAMBUS. Эта компания берет стандартную начинку ДЗУПВ и обеспечивает новый интерфейс, делающий работу отдельной микросхемы более похожей на работу системы памяти, а не на работу отдельного ее компонента. RAMBUS отбросила сигналы RAS/CAS, заменив их шиной, которая допускает выполнение других обращений в интервале между посылкой адреса и приходом данных. (Такого рода шины называются шинами с пакетным переключением (packet-switched bus) или шинами с расщепленными транзакциями (split-traнсaction bus), которые будут рассмотрены в других главах. Такая шина позволяет работать кристаллу как отдельному банку памяти. Кристалл может вернуть переменное количество данных на один запрос и даже самостоятельно выполняет регенерацию. RAMBUS предлагает байтовый интерфейс и сигнал синхронизации, так что микросхема может тесно синхронизироваться с тактовой частотой процессора. После того, как адресный конвейер наполнен, отдельный кристалл может выдавать по байту каждые 2 нсек.

Большинство систем основной памяти используют методы, подобные страничному режиму ДЗУПВ, для уменьшения различий в производительности процессоров и микросхем памяти.




Начало  Назад  Вперед